慧聪LED屏网报道
一、苹果今年将试生产microLED屏幕，明年或应用于iWatch
本月初据日本媒体报道，苹果目前计划最早在2018年为其可穿戴设备换用microLED 屏。由于制造难度大，短期内microLED 屏幕仍然“不大可能”被应用在智能手机中。但苹果可能最早明年为可穿戴设备iWatch配置microLED 屏。而台湾初创公司PlayNitride 则将负责帮助苹果在今年试产microLED。
那到底什么是microLED屏幕呢？它跟现在的LCD、OLED屏幕又有何区别和优势呢？microLED也被称为微发光二极管，其通过在一个芯片上集成高密度微小尺寸的LED 阵列来实现LED 的薄膜化、微小化和矩阵化。类似LED屏幕，其每个像素都能单独定址和驱动点亮。可以看成是户外小间距LED显示屏的迷你版，其将像素点距离从毫米级降低至微米级，体积则只有目前主流LED 大小的1%。由于Micro LED 自发光，光学系统简单，可以减少整体系统的体积、重量、成本，同时兼顾低功耗、快速反应、寿命更长、效率更高的优势，并具有高亮度和超高解析度的特点，其色彩饱和度接近OLED且没有色衰的问题。
从现在的技术发展趋势而言，乐观估计，需要至少等到2018年才可以见到装有microLED屏幕的iWatch面世，而且预计microLED在低端iPhone上的应用也会有其想象空间。
二、microLED显示技术的发展进程及背景介绍
microLED最早起源于德国亚琛工业大学研究团队，其于1998年采用湿法腐蚀方法在AlGaInP LED 外延片上成功制作多个LED之后，开启了国际上对microLED 阵列的研究。
图2. 2000年之后，microLED显示技术的发展历程
索尼在2016年的InfoCommons和2017年CES展会上展示了其最新的CLEDIS屏幕，其采用超高密度LED显示技术，即microLED技术，其具备超高亮度、无缝拼接（其实CLEDIS显示屏幕由显示单元拼接完成）。目前主流的4K内容，以及未来8K甚至10K乃至更高的精细影像内容，都能够通过microLED面板驾驭。
图3. 索尼在2017 CES展会中展出的CLEDIS显示屏幕
图4. 索尼CLEDIS面板基本结构
microLED技术是指在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED 整列，每一个像素可定址、单独由TFT驱动点亮，像素点距离在微米级；
图5. microLED屏幕结构（奇美电子）
目前对于Micro LED制程来说，现有的主要技术分为三大种类：芯片级焊接、外延级焊接和薄膜转移。
芯片级焊接：直接将LED 切割成微米等级的单块结构（包含外延薄膜和基板），在通过SMT 或者COB 的方式将此单块结构的Micro LED 一颗颗键接与显示基板。
外延级焊接：在LED 的外延薄膜蹭上用感应耦合等离子蚀刻，直接形成微米等级的Micro LED 外延薄膜结构，再将LED 晶圆(含外延层和基板)直接键接于驱动电路基板上，最后通过剥离基板的方式形成最终显示画素。
薄膜转移：通过剥离LED 基板，以一暂时基板承载LED 外延薄膜层，再利用感应耦合等离子蚀刻，形成微米等级的Micro LED 外延薄膜结构；或者先利用感应耦合等离子离子蚀刻，形成微米等级的Micro LED 外延薄膜结构，通过剥离LED 基板，通过暂时基板承载LED 外延薄膜结构。
图6. 薄膜转移法工艺流程，LED基板剥离后形成外延薄膜层，通过暂时基板承载LED 外延薄膜结构（HSBC研究）
表1. 不同制程的技术特性
在Micro LED 的彩色化方向，目前主流的彩色化方案主要有三种，分别是RGB三色LED 法、UV/蓝光LED + 发光介质法、光学透镜合成法。
